V súčasnosti pozorujeme kontinuálnu snahu na zvýšenie rýchlosti tranzistorov na báze III-N polovodičov. Medzi inými obmedzeniami, ktoré limitujú rýchlosť tranzistorov, klúčovou je relatívne veľká efektívna hmotnosť elektrónov vo všeobecne používanom GaN kanáli. V uvedenej práci je popísaný a teoreticky zdôvodnený návrh tranzistora s napnutým InN kanálom, čo potenciálne môže zvýšiť rýchlosť tranzistorov až na 2.5 násobok. Návrh zohľadňuje možné technologické problémy rastu a preto je navrhnutý s tzv. N-polaritou kde InN kanál sa rastie ako posledná vrstva a izoluje sa od hradla pomocou dielektrika. Takto bude potenciálne možné vyplniť doteraz existujúcu „teraherzovú medzeru“ pomocou elektronických súčiastok a priblížiť sa k frekveciám doteraz vyhradeným optoelektronike.
Vypočítaný energetický pásmový diagram a epitaxná štruktúra N-polárneho InN/GaN/InAlN HEMT-u.
Kuzmik, J.: N-Polarity InN/GaN/InAlN High-Electron-Mobility Transistors, Applied Phys. Express 5, 044101 (2012). IF: 3,013