Naša štúdia sa zameriava na proces prípravy a vlastnosti elektrickým poľom ovládaných MOS tranzistorov na heteroštruktúre InGaAs/GaAs s dvojvrstvovým hradlovým dielektrikom zloženým z oxidovej vrstvy pripravenej pomocou oxidácie povrchu heteroštruktúry (GaAs) v kyslíkovej plazme a jej následným pokrytím vrstvou Al2O3pripravenej procesom nanášania po atomárnych vrstvách (ALD). Štruktúry boli plazmaticky oxidované po dobu 75 s a 150 s. Statická charakterizácia tranzistorov potvrdila prúdovú hustotu kolektora v saturácii na úrovni ~250 mA/mm pri hradlovom napätí VG = 1 V. Kapacitné merania ukázali zlepšenie v režime ochudobnenia oproti referenčným štruktúram bez dvojvrstvového hradlového dielektrika. Vodivostnou metódou bola stanovená hustota nábojových pascí v ráde 1011 cm-2eV-1, vykazujúc jej postupný pokles s rastúcou energiou pascí. Najvyššie hodnoty pohyblivosti elektrónov boli 3950 cm2V-1s-1 (oxidácia 75 s) a 4750 cm2V-1s-1(oxidácia 150 s) a to pri plošnej hustote náboja ~2 × 1012 cm-2. Získané výsledky a najmä nízka dosiahnutá hodnota hustoty nábojových pascí, ktorá je v porovnaní s literatúrou až o rád nižšia poukazujú na veľký potenciál metódy plazmatickej oxidácie povrchu polovodiča a následnej depozície Al2O3 pri príprave MOS štruktúr na GaAs.
Gucmann, F., Gregušová, D., Stoklas, R., Dérer, J., Kúdela, R., Fröhlich, K., and Kordoš, P.: InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with oxygen-plasma oxide and Al2O3 double-layer insulator. Applied Phys. Lett. 105 (2014) 183504.