Zoznam článkov
Supravodiče sú materiály, schopné prenášať elektrický prúd bez odporu, a teda bez strát energie. To platí, pokiaľ jeho veľkosť nepresiahne hodnotu tzv. kritického prúdu. Po jej prekročení sa zo supravodiča stáva zlý vodič. K uskutočneniu bezodporového prenosu stačí maličkosť: ochladenie na veľmi nízku teplotu. Klasické, nízkoteplotné supravodiče, vyžadujú ochladenie kvapalným héliom na teplotu niekoľko stupňov nad…
Ditelurid molybdénu (MoTe2) patrí do veľkej skupiny materiálov s vrstevnatou štruktúrou, ktoré sú často označované ako 2D materiály. To znamená, že ich vlastnosti (napríklad elektrické) sa výrazné menia, keď je materiál extrémne tenký a skladá sa len z pár atomárnych rovín uložených na sebe. Táto vlastnosť odlišuje vrstevnaté materiály od objemových. MoTe2 sa vyskytuje v niekoľkých rôznych…
Náš kolega Dr. Enric Pardo nedávno publikoval kapitolu v knihe venovanej numerickému modelovaniu supravodivých zariadení (Numerical Modeling of Superconducting Applications), kde sa v kapitole zmeranej na elektromagnetického modelovania supravodičov venoval aj možnosti využitia supravodivých motorov v letectve. Budúce bezemisné lietadlá budú poháňané elektromotormi. Tie by mohli byť supravodivé, ak by lietadlo poháňal kvapalný vodík, ktorý má teplotu…
Magnetická silová mikroskopia (MFM) sa etablovala ako štandardná metóda na skúmanie povrchových magnetických textúr veľkého množstva magnetických materiálov. Princíp MFM je založený na kmitajúcom nosníku, ktorý je zakončený ostrým hrotom pokrytým magnetickým materiálom. Počas skenovania tento magnetický hrot kmitá tesne nad povrchom vzorky, pričom magnetostatické sily medzi hrotom a vzorkou ovplyvňujú fázu a frekvenciu kmitov…
V poslednom desaťročí sa výskum topologických izolátorov stal horúcou témou v rôznych oblastiach fyziky. Ich nezvyčajné vlastnosti vzbudzujú záujem vedcov zameraných na základný aj aplikovaný výskum. Jednou z najzaujímavejších vlastností topologického izolátora je fakt, že jeho vnútro je izolant, pričom na povrchu existujú vodivé stavy. V 2D verzii topologického izolátora sú tieto vodivé okrajové stavy…
Existuje potreba nových materiálových systémov, ktoré by otvorili okno do sub-THz frekvečnej elektroniky. V tomto ohľade, vďaka rekordnej teoretickej rýchlosti elektrónov, InN je medzi najhorúcejšími kandidátmi. Najnovšie výskumy ukazujú, že InN vrstvy rastené pomocou molekulárnej zväzkovej epitaxie (MBE) dosahujú rýchlosť elektrónov približne 1 Í 108 cms-1. Doteraz sa však nepodarilo demonštrovať žiaden mikrovlnný tranzistor s InN kanálom….
Polovodiče na báze nitridu gália (GaN) sú čoraz viac využívané pre výrobu vysoko efektívnych prevodníkov výkonu. Našim kolegom sa podarilo potvrdiť funkčnosť originálneho konceptu vertikálneho výkonového tranzistora. Moderné GaN výkonové tranzistory s laterálnou geometriou kanála sú postupne komercionalizované a využívané v praxi. Oproti tomuto konceptu je vertikálna geometria užitočná pre zvýšenie výkonu súčiastok a potlačenie parazitných efektov ako sú…
V dňoch 10. – 15. septembra 2023 sa konala v Bratislave 13. medzinárodná konferencia IEEE 2023 Nanomateriály: Aplikácie a vlastnosti (IEEE NAP-2023). Na organizácii podujatia, na ktorom sa zúčastnilo 400 účastníkov, sa podieľali IEEE Nanotechnology Council, Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i., Slovenská technická univerzita v Bratislave a Sumy State University na Ukrajine, s podporou IEEE Magnetics Society. Konferencia bola zameraná…
V 1. oddelení vied si prvú cenu prevzal Mgr. Fridrich Egyenes z Elektrotechnického ústavu SAV, v. v. i., za prácu Široko-pásmový polovodič Ga2O3 – fyzikálne vlastnosti a technológia prípravy. Tretiu cenu získala Mgr. Jana Hrdá z rovnakého ústavu za prácu Príprava a charakterizácia dvojrozmerných materiálov – dichalkogenidov prechodných kovov. Do tretice doktorandka z Elektrotechnického ústavu SAV, v. v i., Mgr. Iuliia…
Počas návštevy Slovensko-taiwanskej komisie pre ekonomickú spoluprácu podpísali predstavitelia Elektrotechnického ústavu SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) licenčnú zmluvu a memorandum o porozumení s Výskumným inštitútom priemyselných technológií (Industrial Technology Research Institute, ITRI), Taiwan. V rámci licenčnej zmluvy vybuduje ElÚ SAV laboratórium pre analýzu spoľahlivosti polovodičových výkonových modulov, ktoré budú na základe spoločnej trojstrannej dohody vyrábané v čistých priestoroch Fakulty elektrotechniky a informatiky…