Zoznam článkov

Experimentálna detekcia titánového nanofilamentu v TiO2 memristore s použitím supravodivých elektród a Andreevskej spektroskopie

Tenká vrstva TiO2 polovodiča medzi dvomi kovovými elektródami je štruktúra fungujúca ako pamäťový prvok – memristor. Aby fungovala ako memristor, štruktúra sa formuje mäkkým prierazom. Prieraz vytvorí vodivý nanofilament, ktorý prenikne cez nevodivú TiO2 vrstvu, takže vrchná a spodná elektróda sa vodivo prepoja. Doposiaľ sa pri určovaní vlastností nanofilamentu (jeho tvaru, chemického zloženia, elektrického odporu)…

»
792
Elektrické a mechanické limity ex-situ vyrobených drôtov MgB2 pre káblovanie

Ex-situ MgB2 drôty, špecificky drôty vyrobené spoločnosťou ASG (Obrázok 1), sa použijú pri návrhu dizajnu kábla pre Európsky projekt SCARLET. Tento projekt má za cieľ vytvoriť supravodivý kábel pripravený pre komerčné inštalácie a mal by byť schopný prenášať 20 kA jednosmerný elektrický prúd pri schladení na teplotu 20 K tekutým vodíkom. Vloženie supravodivé kábla do…

»
1024
Úspech našich študentiek na konferencii ADEPT 2025

V dňoch 15.-18. júna 2025 sa uskutočnil 13. ročník medzinárodnej konferencie Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT 2025) v Podbanskom. Konferenciu organizuje Elektrotechnická fakulta Žilinskej univerzity v Žiline, Fakulta elektrotechniky a informatiky STU v Bratislave v spolupráci s Elektrotechnickým ústavom SAV. Súčasťou konferencie je už tradične súťaž študentov. Tohto roku náš ústav reprezentovali štyria doktorandi…

»
974
Lítium indukuje reorientáciu v ultratenkých MoS2 vrstvách

Disulfid molybdénu (MoS2) je vrstvený materiál, ktorý možno pripraviť vo forme jednej alebo len niekoľkých vrstiev. Vďaka svojim zaujímavým vlastnostiam a širokej škále možných aplikácií je tento materiál predmetom rozsiahleho štúdia. Vrstvené materiály majú schopnosť interkalovať atómy a katióny do svojich van der Waalsových medzier. Interkalácia je jedným zo spôsobov, ako ovplyvňovať ich fyzikálne, chemické…

»
409
Vplyv uhla rozhrania, pridaného prášku a deformácie na transportný prúd a štruktúru supravodivých spojov jednožilových a viacžilových drôtov MgB2

Diborid horčíka (MgB2) je sľubný supravodič pre mnohé aplikácie. Jednou z výhod tohto materiálu je možnosť spojiť jedno alebo viac-žilové MgB2 drôty pomocou MgB2 spoju, čím získame spoj s veľmi nízkym alebo nulovým elektrickým odporom, ktorý je vhodný pre perzistentnú prevádzku zariadení, ako sú napríklad supravodivé magnety s vysokými magnetickými poľami. MgB2 drôty sú spojené…

»
1024
Workshop o (U)WBG polovodičových materiáloch a súčiastkách a HRTEM školenie v Budapešti

Kolegovia zo skupiny zaoberajúcej sa výskumom oxidu galitého (Ga2O3) vedenej Dr. Filipom Gucmannom v spolupráci s HUN-REN Centrom pre výskum energie a Inštitútom mikroelektroniky a fotoniky z výskumnej siete Łukasiewicz usporiadali dvojdňový workshop o WBG/UWBG polovodičových materiáloch a súčiastkách v Budapešti, za účelom zdieľania výsledkov dosiahnutých počas realizácie projektu CUBES, ktorý je financovaný Medzinárodným višehradským…

»
786
Radiačná kamera na báze karbidu kremíka

Karbid kremíka (chemický názov karbid kremičitý, SiC) je perspektívny polovodičový materiál vhodný pri využití ako detektor ionizujúceho žiarenia. Je vysoko radiačne odolný, a taktiež chemicky a teplotne stabilný. Senzory na báze SiC vďaka ich výhodným vlastnostiam sú využiteľné hlavne v prostrediach s vysokou teplotou a tiež intenzitou ionizujúceho žiarenia. Pripravili sme pixelové senzory s využitím vysokokvalitnej epitaxne rastenej SiC vrstvy. Polovodičový…

»
514
Spojenie jednožilových ex-situ drôtov MgB2/Fe pomocou svorkovej architektúry.

Vysokoteplotné supravodiče, ako napríklad Diborid horčíka (MgB2), umožňujú zostrojiť novodobé magnety s vysokými magnetickými poľami, ktoré umožnia dosiahnuť nové poznatky v mnohých fyzikálnych disciplínach. Jednou z prekážok pri vývoji supravodivých magnetov je výroba takzvaného “perzistentného spínača”. Perzistentný spínač je spoj v supravodivom magnete, ktorý po zachladení na kryogénne teploty zníži svoj elektrický odpor na veľmi…

»