Zoznam článkov

295
Nová metóda elektro-tepelného modelovania supravodičov z dielne ELÚ SAV

Vedci a vedkyne z Elektrotechnického ústavu SAV, v.v.i. predstavili novú metódu elektro-tepelného modelovania supravodičov, ktorá ponúka vyššiu presnosť a efektivitu oproti doteraz používaným prístupom. Táto metóda nesie názov METEP (Minimum Electro-Thermal Entropy Production) a v porovnaní s tradičnou metódou, prináša významné výhody. Na rozdiel od tradičnej metódy konečných rozdielov je založená na variačnom princípe, čo poskytuje…

»
1024
Hľadáme

Elektrotechnický ústav SAV, v.v.i. prijíma s nástupom od 1.4.2025 pracovníka/-čku/ na pozíciu vedecký pracovník špecializovanú na mikromagnetizmus. Táto samostatná vedecká práca je zameraná na skúmanie javov mikro/nanomagnetizmu vrátane prípravy a tvarovania magnetických vrstiev a ich charakterizácie. Požadované vzdelanie:  VŠ III. stupňa v odbore Fyzika alebo Elektrotechnika Požadovaná prax: Min. 3 roky v obore Odmeňovanie podľa zákona…

»
496
Tepelná stabilita vrstiev oxidu galitého: významné poznatky pre polovodičové technológie

Ako stabilné sú vrstvy oxidu galitého pri vysokých teplotách? Túto otázku skúmali naši kolegovia a kolegyne z oddelenia III-V polovodičov, na Elektrotechnickom ústave Slovenskej akadémie vied. Ich výskum prináša dôležité poznatky o perspektívnom polovodičovom materiáli – oxide galitom (Ga₂O₃), ktorý si získal veľký záujem vedeckej aj priemyselnej komunity vďaka svojim výnimočným vlastnostiam.Ga2O3 vyniká tým, že ponúka…

»
640
Otvorenie Vedeckej kaviarne na ElÚ SAV

Dňa 18. februára 2025 sme na Elektrotechnickom ústave SAV, v.v.i., slávnostne otvorili Vedeckú kaviareň – nový priestor, ktorý spojí vedu, kolegialitu a dobrú kávu. Táto moderná spoločenská miestnosť, slúžiaca aj ako kuchynka, bola vytvorená s cieľom spríjemniť každodenný pracovný život našich zamestnancov a podporiť neformálnu komunikáciu medzi kolegami. Prečo Vedecká kaviareň? Vnímame, že mnohé skvelé…

»
1000
Inovácie v tepelnom manažmente pre modernú výkonovú elektroniku: Seminár na ElÚ SAV priniesol nové možnosti spolupráce

Dňa 19. februára 2025 sa na Elektrotechnickom ústave SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) uskutočnil seminár s názvom „Inovácie v tepelnom manažmente pre modernú výkonovú elektroniku,“ ktorý bol organizovaný v spolupráci so spoločnosťou TechSim, hlavným partnerom SIEMENS pre strednú a východnú Európu. Cieľom podujatia bolo predstaviť najnovšie technológie a prístupy v oblasti tepelného manažmentu výkonových modulov a…

»
878
Vzácna návšteva z Taipeiskej reprezentatívnej kancelárie v Bratislave

Dňa 17. februára 2025 privítal Elektrotechnický ústav SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) významnú návštevu z Taipeiskej reprezentatívnej kancelárie v Bratislave (TROB), vedenej pánom Nan-Yang Lee. Cieľom tejto návštevy bola vzájomná výmena informácií a hodnotenie míľnikov prebiehajúceho bilaterálneho projektu SK-TW, ktorý sa realizuje v spolupráci medzi taiwanským Výskumným inštitútom priemyselných technológií (Industrial Technology Research Institute – ITRI),…

»
291
Príprava veľkoplošných MoS₂ vrstiev otvára nové možnosti v elektronike

Dvojdimenzionálny (2D) disulfid molybdénu (MoS2) priťahuje širokú pozornosť vedeckej komunity vďaka svojim jedinečným elektronickým, mechanickým a optickým vlastnostiam. Jedná sa o materiál zložený z niekoľkých atomárnych vrstiev MoS2 spojených van der Waalsovými väzbami. Na Oddelení mikroelektroniky a senzoriky sme pripravili vysoko kvalitné vrstvy MoS2 s hrúbkou 2 až 5 monovrstiev na zafírových a GaN/zafírových podložkách…

»
341
Inovatívne nanoštruktúry: ako iónový lúč mení magnetické vlastnosti materiálov

Moderné technológie litografie umožňujú manipuláciu s magnetickými vlastnosťami materiálov na atomárnej úrovni. Využitie vrstvy titánu v procese fokusovaného iónového lúča (FIB) prinieslo nové možnosti kontroly magnetických stavov. Kolektív z oddelenia Fyziky a technológie nanoštruktúr ElÚ SAV predstavil prelomové zistenia o vplyve iónového lúča na magnetické nanoštruktúry. Skúmané nanoštruktúry z permalloyu (Ni₈₀Fe₂₀) boli podrobené presným rezom pomocou Ga⁺…

»
537
Výrazné zníženie tepelného odporu GaAs HEMT tranzistorov

Naši kolegovia a kolegyne z oddelenia III-V polovodičov ELÚ SAV, Slovenskej technickej univerzity v Bratislave a Wuhanskej univerzity v Číne dosiahli významný pokrok v oblasti tranzistorov s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT) pripravených z polovodiča GaAs. Tieto súčiastky sú kľúčové najmä v aplikáciách vysokofrekvenčnej bezdrôtovej komunikácie v spotrebiteľských, obranných a vesmírnych aplikáciách a taktiež v technológii kvantového počítania, kde sa vo veľkej miere…

»