Zoznam článkov

Toroidálne usporiadanie umelých magnetických štruktúr pomocu spontánneho narušenia symetrie.

Umelo vyrobené magnetické štuktúry s periodickým usporiadaním magnetizácie sú perspektívnym médiom pre magnetické vlny. Veľkým problémom je v tomto smere získať pravidelné usporiadanie magnetizácie kôli vysokým energetickým bariéram medzi rôznymi metastabilnými stavmi. Skúsili sme znížiť tieto energetické bariéry aplikovaním externého magnetického poľa kolmo na vzorku. Prekvapivo takáto procedúra nemá za následok len obyčajnú renormalizáciu energetickej…

»
512
Predstavenie kandidáta na funkciu riaditeľa ElÚ SAV, v.v.i.

Výberová komisia pre voľbu riaditeľa Elektrotechnického ústavu SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) a Vedecká rada  ElÚ SAV  Vás všetkých pozývajú na predstavenie kandidáta na funkciu riaditeľa ElÚ SAV, Ing. Milana Ťapajnu, PhD., ktoré sa uskutoční dňa 26. novembra 2025 o 11:00 hod. v zasadačke ústavu (miestnosť č. 101). Kandidát na funkciu riaditeľa predloží všetkým zamestnancom organizácie svoj návrh koncepcie a riadenia organizácie….

»
499
Vplyv morfológie prášku a aplikovanej deformácie na supravodivé prúdy “scarf” spojov medzi ex-situ MgB2 drôtmi

Supravodivosť umožňuje prenos jednosmerného elektrického prúdu bez strát, avšak je možné vyprodukovať len limitovanú dĺžku supravodivého drôta v jednom kuse (< 1km). Aby bolo možné dosiahnuť požadované dĺžky pre rôzne zariadenia, treba vyvinúť spoje s nulovým alebo veľmi nízkym elektrickým odporom. Jednou z oblastí, ktorá by benefitovala z takýchto spojov sú supravodivé magnety, kde by…

»
1024
Otvorenie Slovenského čipového kompetenčného centra

Slovensko má oficiálne otvorené vlastné Čipové kompetenčné centrum (SK CCC) a Elektrotechnický ústav SAV je jeho súčasťou. Slávnostné otvorenie sa uskutočnilo v piatok na Fakulte elektrotechniky a informatiky Slovenskej technickej univerzity (FEI STU) v Bratislave za účasti štátneho tajomníka Ministerstva školstva, výskumu, vývoja a mládeže Jána Hrinka a štátneho tajomníka Ministerstva hospodárstva Vladimíra Šimoňáka. Slovenskú…

»
610
Vysoko dopovaná GaN vrstva prináša stabilnejšie HEMT tranzistory bez straty prúdu

Vysoko kremíkom dopované vrstvy nitridu gália (n++ GaN) zohrávajú dôležitú úlohu pri vývoji moderných tranzistorov s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré sa uplatňujú v telekomunikáciách aj výkonovej elektronike. Naši kolegovia a kolegyne z oddelenia III-V polovodičov skúmali rast týchto vrstiev pomocou techniky MOCVD pri teplote 800 °C a analyzovali, ako prietok kremíkového prekurzora (SiH₄) ovplyvňuje…

»
1024
Hosťovanie delegácie z Litvy

Dňa 28. októbra 2025 privítal Elektrotechnický ústav SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) vzácnu návštevu z Litvy, vedenú pani Wang Hsueh-Hong, šéfkou Taiwanskej reprezentatívnej kancelárie v Litve. Medzi ďalšími hosťami boli aj významní predstavitelia litovskej akademickej komunity – Dr. Aidas Matijosius, dekan Fakulty fyziky Vilniuskej univerzity, Dr. Arturas Medeisis, dekan Fakulty elektrotechniky Vilniusu technickej univerzity, Dr. Mindaugas Zilys,…

»
1024
Pokračovanie úspešnej spolupráce s taiwanským ITRI

Predstavitelia Taiwanskej reprezentatívnej kancelárie v Bratislave (TROB) pán David Li Nanyang spolu s riaditeľom Elektrotechnického ústavu SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) RNDr. Vladimírom Cambelom, DrSc. a rektorom Slovenskej technickej univerzity prof. Ing. Maximiliánom Strémym, PhD. Dňa 16.10.2025 slávnostne podpísali už tretiu dohodu o spolupráci, potvrdzujúcu pokračovanie spoločného projektu s Výskumným inštitútom priemyselných technológií (Industrial Technology Research Institute,…

»
1024
Demagnetizácia magnetického plášťa pomocou supravodičov a feromagnetických materiálov

Magnetické tienenie je neoddeliteľnou súčasťou mnoho zariadení či už v technickej, medicínskej alebo vedeckej sfére. Bežne sa používa pasívne tienenie, ale kombináciou supravodiča a feromagnetika vieme dosiahnuť omnoho dôslednejšie tienenie. Takýto magnetický plášť bohužial treba chladiť na kryogénne teploty potrebné pre supravodivosť (v tomto prípade 90 K a menej), čo limituje jeho použitie.  Avšak, v podmienkach kde to neprekáža,…

»