RNDr. Dagmar Gregušová, DrSc.
Publications for year 2026
On this page, you can search the on-line database of the Central Library of the SAS for the publications.
Publications
- GREGUŠOVÁ, Dagmar** - POHORELEC, Ondrej - ŤAPAJNA, Milan - HRDÁ, Jana - LAURENČÍKOVÁ, Agáta - KRAJČOVIČOVÁ, Timea Ema - KOZAK, Andrii - STOKLAS, Roman - HULMAN, Martin - MAŤKO, M. - VRETENÁR, Viliam - SOJKOVÁ, Michaela. Concept of electrical contacts for semiconductor devices based on 2D materials. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 47-50. (APVV-21-0278 : Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie. APVV-21-0231 : Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou.) Typ: AFD
- GUCMANN, Filip** - CHOUHAN, Hemendra - DOBROČKA, Edmund - HUŠEKOVÁ, Kristína - GREGUŠOVÁ, Dagmar - VADLAMUNDI, Sai Gurukrishna - ROSOVÁ, Alica - CHIDAMBARAM, Jeevan Roshan - ŤAPAJNA, Milan. Rotational domains in heteroepitaxial β-Ga2O3 films grown by MOCVD. In 2026 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications, VLSI TSA 2026 : Proceedings of Technical Papers. - IEEE, 2026, p. [2 s.]. ISBN 979-8-3315-6238-0. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/VLSITSA69131.2026.11527602 (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: ADMB
- KUMAR, N. - HOTOVÝ, I.** - KADLEČÍKOVÁ, M. - SOJKOVÁ, Michaela - KOSTIČ, Ivan - GREGUŠOVÁ, Dagmar - POHORELEC, Ondrej - STOPJAKOVÁ, V. - DOBROČKA, Edmund. Low-temperature ammonia sensing using sulfurized WS2 thin films. In Sensors, 2026, vol. 26, art. no. 4429. (2025: 4 - IF, Q2 - JCR, 0.802 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1424-8220. (VEGA 2/0075/25 : Heteroštruktúry na báze 2D dichalkogenidov prechodných kovov pre elektronické. APVV-21-0278 : Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie.) Typ:
- SOBOTA, Michal** - LUKÁČ, Tomáš - MOŠKO, Martin - HUŠEKOVÁ, Kristína - VADLAMUNDI, Sai Gurukrishna - GREGUŠOVÁ, Dagmar - GREGUŠ, J. - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Urbach energy analysis, and electrical properties of polycrystalline Β-Ga2O3. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 37-40. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: AFD
- SOJKOVÁ, Michaela** - POHORELEC, Ondrej - HRDÁ, Jana - KRAJČOVIČOVÁ, Timea Ema - KOZAK, Andrii - DÉRER, Ján - HULMAN, Martin - ŤAPAJNA, Milan - EGOROV, Semyon - KOTRUSZ, Peter - SKÁKALOVÁ, Viera - MUSTONEN, K. - BONDINO, F. - PÍŠ, Igor - GREGUŠOVÁ, Dagmar. Scalable transfer-free fabrication of PtSe2 FETs. In FlatChem, 2026, vol. 59, art. no. 101091. (2025: 5.7 - IF, Q2 - JCR, 0.906 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 2452-2627. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.flatc.2026.101091 (APVV-21-0231 : Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou. APVV-23-0564 : Optimalizovaný rast a transportné a optické vlastnosti tenkých vrstiev vybraných topologických polokovov. APVV-21-0278 : Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie.) Typ: ADCA
- VADLAMUDI, Sasi Gurukrishna - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - GREGUŠOVÁ, Dagmar - POHORELEC, Ondrej - MIČUŠÍK, Matej - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Influende of graded (AlxGa1-x)2O3 buffer layer on structural and electrical properties of β-Ga2O3 films grown on sapphire substrates using MOCVD. In WOCSDICE-EXMATEC 2026 : 49th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, 20th Expert EvaluaƟon and Control of. - Gdansk, 2026, p. 120-121. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou.) Typ: GII
- VARGA, Marian** - KESHTKAR, Javad - HUŠEKOVÁ, Kristína - KOZAK, Iryna - REMEŠ, Z. - GREGUŠOVÁ, Dagmar - SHARMA, D. - KOVÁČOVÁ, Eva - DOBROČKA, Edmund - KOZAK, Andrii - SOBOTA, Michal - IZSÁK, Tibor - SZABÓ, O. - ŤAPAJNA, Milan - KROMKA, A. - GUCMANN, Filip. Towards Ga2O3/diamond-based solar-blind UV photodetectors. In NANOMAT 2026 : International Conference on Functional Nanomaterials and Nanodevices 2026, 7.– 10 July 2026, Brno, Czech Republic. Eds. D. Eder et al. - Sofia : ENNA, 2026, p. 69. ISBN 2603-4239. (IM-2023-87 : Cenovo dostupné fotodetektory s heteroprechodom Ga2O3-diamant pre UV zobrazovanie necitlivé na slnečné svetlo.) Typ: AFE
- ZDURIENČÍK, M.** - MRENA, D. - GREGUŠOVÁ, Dagmar - LAURENČÍKOVÁ, Agáta - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - DÉRER, Ján - GUCMANN, Filip - GORAUS, M. - JANDURA, D. - BENEDIKOVIČ, D. - PIKULÍKOVÁ, V. - PUDIŠ, D. Diffraction gratings for gallium oxide photonic devices. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 151-154. (APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. 09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie.) Typ: AFD