Publications

doc. RNDr. Edmund Dobročka, CSc.

Publications for year 2026

On this page, you can search the on-line database of the Central Library of the SAS for the publications.
Select year

Publications

  • HRUBIŠÁK, Fedor** - ŤAPAJNA, Milan - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - HUŠEKOVÁ, Kristína - VINCZE, A. - NOGA, Pavol - IZSÁK, Tibor - HUDEC, Boris - ŠČEPKA, Tomáš - GUCMANN, Filip. The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD. In Materials science in semiconductor processing, 2026, vol. 206, art. no. 110402. ISSN 1369-8001. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110402 Typ: ADCA
  • LLEWELYN, C.P. - ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - LAMB, David**. Scalable growth and properties of (AlxGa1−x)2O3 thin films on 2- and 4-inch sapphire via close-coupled showerhead MOCVD. In Physica Status Solidi A : applications and materials science, 2026, vol. 223, art. no. e202500608. ISSN 1862-6300. Dostupné na: https://doi.org/10.1002/pssa.202500608 (APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie.) Typ: ADCA
  • ROSOVÁ, Alica** - HASENÖHRL, Stanislav - ŠVEC, Peter Jr. - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - STOKLAS, Roman - KUČERA, Michal - BLAHO, Michal - POMEROY, J.W. - KUBALL, M. - KUZMÍK, Ján**. Impact of flow modulation on MOCVD-grown In-rich N-polar InAlN films on sapphire. In Journal of Alloys and Compounds, 2026, vol. 1063, art. no. 187698. ISSN 0925-8388. (VEGA 2/0120/25 : Implementácia konceptu substitúcie HEA atómov pri vývoji nových materiálov pripravených rôznymi ochladzovacími a žíhacími rýchlosťami.) Typ:
Employees