Ing. Ján Kuzmík, DrSc.
Publications for year 2026
On this page, you can search the on-line database of the Central Library of the SAS for the publications.
Publications
- BLAHO, Michal** - GREGUŠOVÁ, Dagmar - POHORELEC, Ondrej - HASENÖHRL, Stanislav - GUCMANN, Filip - DOBROČKA, Edmund - ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - HUDEC, Boris - VINCZE, A. - VANČO, L. - KUZMÍK, Ján. Effect of MOCVD growth parameters on performance of n++GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs for mixed-signal applications. In ASDAM 2026 : Conference Proceedings. The Sixteenth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Eds. E. Vavrinsky, J. Marek. - IEEE, 2026, p. 8-12. ISBN 979-8-3195-0043-4. . 101102983 : Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia. Typ: AFC
- ROSOVÁ, Alica** - HASENÖHRL, Stanislav - ŠVEC, Peter Jr. - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - STOKLAS, Roman - KUČERA, Michal - BLAHO, Michal - POMEROY, J.W. - KUBALL, M. - KUZMÍK, Ján**. Impact of flow modulation on MOCVD-grown In-rich N-polar InAlN films on sapphire. In Journal of Alloys and Compounds, 2026, vol. 1063, art. no. 187698. (2025: 6.7 - IF, Q1 - JCR, 1.079 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0925-8388. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187698 . VEGA 2/0120/25 : Implementácia konceptu substitúcie HEA atómov pri vývoji nových materiálov pripravených rôznymi ochladzovacími a žíhacími rýchlosťami. Typ: ADCA
- STOKLAS, Roman** - GREGUŠOVÁ, Dagmar - LAURENČÍKOVÁ, Agáta - ELIÁŠ, Peter - HASENÖHRL, Stanislav - CHVÁLA, A. - DARAIRAJ, K. - KUZMÍK, Ján. Optimization of AZ 12XT photoresist coverage on vertical GaN pillar sidewalls via development process engineering. In ASDAM 2026 : Conference Proceedings. The Sixteenth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Eds. E. Vavrinsky, J. Marek. - IEEE, 2026, p. 25-28. ISBN 979-8-3195-0043-4. . VEGA 2/0112/26 : Vertikálne GaN MOS tranzistory s poloizolačným kanálom pre zvýšenie prierazného napätia vo vypnutom stave. APVV-25-0353 : Vertikálne GaN súšiastky s poloizolačným kanálom a inovatívnou 3D gatesource architektúrou pre výkonové aplikácie. Typ: AFC
- ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - DOBROČKA, Edmund - BLAHO, Michal - HASENÖHRL, Stanislav - POHORELEC, Ondrej - GUCMANN, Filip - ŤAPAJNA, Milan - KUZMÍK, Ján. Overcoming the saturation limit in dislocation density evaluation for heteroepitaxial GaN structures. In ASDAM 2026 : Conference Proceedings. The Sixteenth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Eds. E. Vavrinsky, J. Marek. - IEEE, 2026, p. 217-222. ISBN 979-8-3195-0043-4. . 101102983 : Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia. Typ: AFC