Publications

Ing. Tomáš Ščepka, PhD.

Publications for year 2026

On this page, you can search the on-line database of the Central Library of the SAS for the publications.
Select year

Publications

  • BARÁNIK, M.** - LORENC, D. - ŠČEPKA, Tomáš - ŠOLTÝS, Ján - VETROVA, Iuliia - HAŠČÍK, Štefan - GRAJCAR, M. - NEILINGER, Pavol. Photothermal resistivity alignment of optical fibers to superconducting nanowire single-photon detectors. In Review of Scientific Instruments, 2026, vol. 97, art. no. 033105. (2025: 1.6 - IF, Q3 - JCR, 0.422 - SJR, Q2 - SJR). ISSN 0034-6748. Dostupné na: https://doi.org/10.1063/5.0311869 Typ: ADCA
  • HRUBIŠÁK, Fedor** - ŤAPAJNA, Milan - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - HUŠEKOVÁ, Kristína - VINCZE, A. - NOGA, Pavol - IZSÁK, Tibor - HUDEC, Boris - ŠČEPKA, Tomáš - GUCMANN, Filip. The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD. In Materials science in semiconductor processing, 2026, vol. 206, art. no. 110402. (2025: 5.2 - IF, Q1 - JCR, 0.767 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1369-8001. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110402 Typ: ADCA
  • CHIANG, Tai-Chang - HONG, J.I. - HUANG, S. - CHIOU, B.-C. - LIN, C. S. - CHENG, Y. - DEHGHAN, Mohammad - ŠČEPKA, Tomáš - HORSKÝ, Matej - ŠVEC, Peter Jr. - PATRNČIAK, Michal - PLECENIK, T. - CARNOY, M. - PARFENIUKAS, K. - PLAKHOTNYUK, M. - BORIE, B. - HUDEC, Boris* - HOU, T.-H.*. Direct atomic layer processing TiO2 RRAM gas sensor for real-time all-RRAM intelligent gas perception. In IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) : San Francisco 2025. - IEEE, 2025, p. 1-3. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/IEDM50572.2025.11353891 . 09I05-03-V02-00058 : Smart senzory plynu a teploty s nízko-úrovňovým in-sensor spracovaním dát na báze neurónovej siete. Typ: ADMB
  • KESHTKAR, Javad** - ŤAPAJNA, Milan - VARGA, Marian - SHARMA, D. - SZABÓ, O. - AUBRECHTOVÁ DRAGOUNOVÁ, K. - HUŠEKOVÁ, Kristína - ELIÁŠ, Peter - DOBROČKA, Edmund - FEDOR, Ján - ŠČEPKA, Tomáš - KOZAK, Andrii - CHOUHAN, Hemendra - CORA, Ildikó - JI, X. - POMEROY, J.W. - KUBALL, M. - TRUCHLÝ, Martin - MIKULA, M. - KROMKA, A. - GUCMANN, Filip**. Heterogeneous integration of β-Ga2O3 and polycrystalline diamond via SiC and SiO2 interlayers with optimized adhesion and thermal boundary resistance for power-electronic applications. In Carbon, 2026, vol. 260, art.no. 121921. (2025: 12.7 - IF, Q1 - JCR, 2.185 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0008-6223. . APVV-20-0220 : Moderné elektronické súčiastky na báze ultraširokopásmového polovodiča Ga2O3 pre budúce vysokonapäťové aplikácie. APVV-21-0231 : Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3. 09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. Typ:
Employees