Ing. Alica Rosová, CSc.
Publications for year 2026
On this page, you can search the on-line database of the Central Library of the SAS for the publications.
Publications
- EGYENES, Fridrich** - MOŠKO, Martin - CHI, Z. - VINCZE, A. - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - PRECNER, Marián - ONDREJKA, P. - CHIKOIDZE, E. - MIKOLÁŠEK, M. - MIČUŠÍK, Matej - ŤAPAJNA, Milan** - GUCMANN, Filip. Anomalous hopping regime at the Mott transition from disordered semiconductor to disordered metal in Si-doped Ga2O3. In Physical Review B, 2026, vol. 113, art. no. 195205. (2025: 3.9 - IF, Q2 - JCR, 1.235 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1550-235X. Dostupné na: https://doi.org/10.1103/khqm-bvwf Typ: ADCA
- GUCMANN, Filip** - CHOUHAN, Hemendra - DOBROČKA, Edmund - HUŠEKOVÁ, Kristína - GREGUŠOVÁ, Dagmar - VADLAMUNDI, Sai Gurukrishna - ROSOVÁ, Alica - CHIDAMBARAM, Jeevan Roshan - ŤAPAJNA, Milan. Rotational domains in heteroepitaxial β-Ga2O3 films grown by MOCVD. In 2026 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications, VLSI TSA 2026 : Proceedings of Technical Papers. - IEEE, 2026, p. [2 s.]. ISBN 979-8-3315-6238-0. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/VLSITSA69131.2026.11527602 (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: ADMB
- HRUBIŠÁK, Fedor** - ŤAPAJNA, Milan - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - HUŠEKOVÁ, Kristína - VINCZE, A. - NOGA, Pavol - IZSÁK, Tibor - HUDEC, Boris - ŠČEPKA, Tomáš - GUCMANN, Filip. The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD. In Materials science in semiconductor processing, 2026, vol. 206, art. no. 110402. (2025: 5.2 - IF, Q1 - JCR, 0.767 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1369-8001. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110402 Typ: ADCA
- ROSOVÁ, Alica** - HASENÖHRL, Stanislav - ŠVEC, Peter Jr. - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - STOKLAS, Roman - KUČERA, Michal - BLAHO, Michal - POMEROY, J.W. - KUBALL, M. - KUZMÍK, Ján**. Impact of flow modulation on MOCVD-grown In-rich N-polar InAlN films on sapphire. In Journal of Alloys and Compounds, 2026, vol. 1063, art. no. 187698. (2025: 6.7 - IF, Q1 - JCR, 1.079 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0925-8388. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187698 (VEGA 2/0120/25 : Implementácia konceptu substitúcie HEA atómov pri vývoji nových materiálov pripravených rôznymi ochladzovacími a žíhacími rýchlosťami.) Typ: ADCA