Publications

Ing. Michal Sobota, PhD.

Publications for year 2025

On this page, you can search the on-line database of the Central Library of the SAS for the publications.
Select year

Publications

  • CHOUHAN, Hemendra - DOBROČKA, Edmund - NÁDAŽDY, Peter - ŤAPAJNA, Milan - HUŠEKOVÁ, Kristína - CORA, Ildikó - ROSOVÁ, Alica - MIKOLÁŠEK, M. - EGYENES, Fridrich - KESHTKAR, Javad - HRUBIŠÁK, Fedor - SOBOTA, Michal - ŠIFFALOVIČ, Peter - GREGUŠOVÁ, Dagmar - POHORELEC, Ondrej - WOSKO, M. - PASZKIEWICZ, R. - GUCMANN, Filip**. Rotational domains and origin of improved crystal quality in heteroepitaxial (201) β-Ga2O3 films grown on vicinal substrates by MOCVD. In Journal of Alloys and Compounds, 2025, vol. 1044, no. 184481. (2024: 6.3 - IF, Q1 - JCR, 1.192 - SJR, Q1 - SJR, karentované - CCC). (2025 - Current Contents, WOS, SCOPUS). ISSN 0925-8388. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2025.184481 Typ: ADCA
  • CHOUHAN, Hemendra - DOBROČKA, Edmund - NÁDAŽDY, Peter - ŤAPAJNA, Milan - HUŠEKOVÁ, Kristína - MIKOLÁŠEK, M. - EGYENES, Fridrich - KESHTKAR, Javad - HRUBIŠÁK, Fedor - SOBOTA, Michal - ŠIFFALOVIČ, Peter - GUCMANN, Filip. Origin of enhanced crystal quality of (-201) β-Ga2O3 on off-cut sapphire substrate using liquid injection-MOCVD. In Proceedings of ADEPT 2025 : 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies - ADEPT, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 15th – 18th, 2025. Eds. D. Jandura, I. Lettrichová. - Žilina : University of Zilina in EDIS, 2025, p. 92-95. ISBN 978-80-554-2208-4. (APVV-20-0220 : Moderné elektronické súčiastky na báze ultraširokopásmového polovodiča Ga2O3 pre budúce vysokonapäťové aplikácie.) Typ: AFD
  • CHOUHAN, Hemendra** - DOBROČKA, Edmund - NÁDAŽDY, Peter - ŤAPAJNA, Milan - HUŠEKOVÁ, Kristína - MIKOLÁŠEK, M. - EGYENES, Fridrich - KESHTKAR, Javad - HRUBIŠÁK, Fedor - SOBOTA, Michal - ŠIFFALOVIČ, Peter - GREGUŠOVÁ, Dagmar - GUCMANN, Filip. The origin of enhanced crystal quality of heteroepitaxially grown (-201) β-Ga2O3 on offcut sapphire substrate by LI-MOCVD. In 2025 IEEE 15th International Conference “Nanomaterials: Applications & Properties” (IEEE NAP-2025), : Book of Abstracts, Bratislava, Slovakia, Sept. 7-12, 2025. - Bratislava : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2025, p. 06ubmp-6. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-20-0220 : Moderné elektronické súčiastky na báze ultraširokopásmového polovodiča Ga2O3 pre budúce vysokonapäťové aplikácie.) Typ: AFH
  • VADLAMUDI, Sasi Gurukrishna - ŤAPAJNA, Milan - SOBOTA, Michal. Theory of electronics - development of Ga2O3 transistors for applications in kV range. In ELITECH´25 : 27th Conference of Doctoral Students. Bratislava. May 28, 2025. Zost. A. Kozáková et al. - Bratislava : Spektrum STU, 2025. ISBN 978-80-227-5492-7. Typ: AFD