ALD aparatúra Beneq TFS 200
Nanášanie po atómových vrstvách (atomic layer deposition, ALD) je nová technológia vhodná najmä pre rast ultratenkých oxidových, kovových a nitridových vrstiev.
Pomocou tejto technológie je možné reprodukovateľne pripraviť veľmi tenké vrstvy s vysokou homogenitou na veľkých plochách a tiež na trojrozmerných podložkách (napr. v hlbokých drážkach). ALD sa vyznačuje nízkou teplotou rastu v oblasti 100 – 400 oC.
Pre tieto vlastnosti bola ALD využitá nedávno na prípravu štruktúr pomocou lift-off technológie, hradlových vrstiev tranzistorov typu MOSFET a MOSHEMT na báze GaAs a GaN, štruktúr pre dynamické pamäte s náhodným prístupom (dynamic random access memory, DRAM) ako napríklad aj na prípravu dielektrickej hradlovej vrstvy pre tranzistor pozostávajúci z uhlíkovej nanorúrky. ALD je technológia, ktorá sa začína významne uplatňovať v elektronickom priemysle a jej využitie v budúcnosti bude narastať.