Zoznam článkov

719
Hľadáme

Elektrotechnický ústav SAV, v.v.i. prijíma s nástupom od 1.1.2025 pracovníka/-čku/ na pozíciu inžiniersky pracovník špecializovanú na elektrickú charakterizáciu širokopásmových polovodičov – samostatná inžinierska práca zameraná na meranie elektrických parametrov, prierazov v oblasti 1-3 kV a analýza spoľahlivosti elektronických súčiastok na báze širokopásmových polovodičov. Požadované vzdelanie:  VŠ II. stupňa v odbore Výkonová elektronika alebo Elektrotechnika. Požadovaná prax:…

»
1024
Hľadáme

Elektrotechnický ústav SAV, v.v.i. prijíma s nástupom od 1.10.2024 pracovníka/-čku/ na pozíciu  odborná špecializovaná práca na úseku rozpočtovania a financovania – samostatná odborná práca súvisiaca s čerpaním finančných prostriedkov z EÚ a iných verejných zdrojov. Požadované vzdelanie:  VŠ I.-VŠ II. Stupňa Požadovaná prax min. 5 rokov v odbore Odmeňovanie podľa zákona č. 553/2003 Z.z., funkčný plat od 1500 EUR. Termín na…

»
600
Oznámenie o konaní obhajob dizertačných prác 22. 8. 2024

Dňa 22. augusta 2024 sa na ElÚ SAV, v.v.i. uskutočnia obhajoby nasledujúcich dizertačných prác:     22. augusta 2024 o 9,00 hod.   Mgr. Jana Hrdá Školiteľ: Mgr. Michaela Sojková, PhD. Názov: Sledovanie vplyvu dopovania na vlastnosti ultratenkých vrstiev 2D materiálov Abstrakt: Dvojrozmerné dichalkogenidy prechodných kovov patria medzi intenzívne študované materiály, najmä vďaka ich jedinečným vlastnostiam….

»
273
Deň otvorených dverí na Elektrotechnickom ústave

Dňa 9.11.2023 sa konalo v rámci Týždňa vedy a techniky podujatie Deň otvorených dverí na Elektrotechnickom ústave. Ústav navštívili žiaci z vybraných bratislavských škôl (Gymnázium J. Papánka, ZŠ Rajčianska, ZŠ Vetvárska) ako aj žiaci zo SPŠT Trnava. Pre žiakov základných škôl boli pripravené zaujímavé experimenty z fyziky, stredoškoláci si vypočuli prednášky o polovodičoch a supravodičoch….

»
600
Oznámenie o konaní obhajob dizertačných prác 23. 8. 2023

ElÚ SAV, v.v.i.   23. augusta 2023 o 10,00 hod. Ing. Ondrej Pohorelec Školiteľ: RNDr. Dagmar Gregušová, DrSc. Názov: Hole channel GaN-based transistor for power electronics Abstrakt: Dizertačná práca sa zaoberá nestabilitou prahového napätia v tranzistore s kladným prahovým napätím s neúmyselným dierovým kanálom a prípravou InAlN/GaN tranzistora s úmyselným dierovým kanálom. V teoretických častiach…

»